イメージどおりに元素マッピングできます

電子・半導体部品等の工業製品では、形態観察と元素分析を組み合わせた評価が必要不可欠です。工業製品の複雑な形状を表面から元素分析を行うには、 EDXの直上法(フラットEDX)が有効です。
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フラットEDX

通常のEDXは、試料に対して斜め位置で測定を行います。立体的な試料の場合、斜め挿入EDXでは、特性X線を検出できない領域(検出器から見て陰となる部分)が生じます〔図1左〕。一方で、フラットEDXは試料の直上でダイレクトに測定します〔図1右〕。

球状シリカ粒子の元素マッピング

粘着テープ上に分散させた球状シリカ粒子（約45μm径）の元素マッピングを行った事例です。斜め挿入法では、図2の黄矢印で示す箇所のように、検出器から見て試料の陰となる部分では特性X線を検出できず、走査電子顕微鏡（SEM）イメージとは異なる歪なマッピング像となります。一方で、直上法では上記のような影響が少なく、SEMの観察領域を網羅したマッピング像を得ることができます。

その他の応用

• 基板のスルーホール内部
• 凹凸の大きい試料