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【表面分析】1μm厚以下でも組成が確実にわかります ~SAICAS、TOF-SIMS~ (001)
斜め切削装置(SAICAS)を用いて1μm厚以下の中間層の斜め切削を行い、分析可能な面積に広げることで〔図1〕、これまで困難であったTOF-SIMS、ESCA等での分析を可能にしました。

図1 斜め切削の概略図

分析事例:フィルム接着層のTOF-SIMS評価_SAICAS、TOF-SIMS
A層とB層の間に存在する厚み100nmの接着層をTOF-SIMSで評価するには分析面積が小さすぎます。そこで、SAICASを用いて試料を斜めに切削し、接着層の分析面積を20μmまで拡大することに成功しました〔図3〕。その後、図3の箇所についてTOF-SIMS測定を実施したところ、接着層からCNO-(m/z 42)が特徴的に検出され、接着層はウレタン系成分で構成されていると考えられました〔図4〕。このように斜め切削による試料調製とTOF-SIMSによる分析を組み合わせることで、厚さ100nmの中間層の組成分析が可能となります。

その他の応用
・添加剤等の深さ方向分布評価が可能
・試料のTgが室温以下の試料(粘着剤等)の切削が可能(低温・高温での切削が可能)
対象試料
・高分子材料(無機物を含む材料についてはご相談下さい。)
・切削可能な中間層の厚さ:数10nm~1μm


高分子分析の中で、厚み100nmのフィルム接着層をSAICASで斜めに切削することで分析面積を拡大し、その組成をTOF-SIMSで調べた事例をご紹介しました。
PETフィルムをArイオンおよびC60イオンでスパッタし、ESCAで深さ方向分析を行った事例もございます。
 ⇒深さ方向の分析が低損傷で行えます_ESCA(XPS)(002)

 ⇒極薄膜中の有機成分の深さ方向分布を調べることができます_Ar-GCIB-TOF-SIMS(073)
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